贴片mos管驱动电路设计注意事项有哪些

       对 MOS管来说，如果将两个 GS之间的电压从0拉至管子开启电压的时间越短， MOS管打开的速度就越快。同样，假如MOS管的GS工作电压 从开启就 就降到0V的时间 越短， 那么MOS管关闭速度就越快。

       我们 所应用的正弦波集成ic输出直接驱动 MOS或用三极管放大后再驱动MOS的方法，实际上在瞬时驱动电流这一方面是一个重大缺陷。采用TC4420等专用 MOS管驱动芯片，可以更好地驱动 MOS管，这种芯片通常具有较大的瞬时输出电流，并与 TTL电平输入相兼容。当然，我们在设计mos管驱动电路时也需要注意以下两点：

2、因为MOS管栅极高输入电阻的性能 ，只需细微的静电或干扰就会使 MOS管产生偏移，因此建议 MOS管 G S管之间并联一个10 K电阻来降低输入阻抗。若担心附近电力线的干扰耦合过来，产生瞬间高压击穿MOS管，则可在GS之间再并联约18 V的TVS瞬态抑制二极管， TVS可被认为是一种快速响应的稳定二极管，其瞬间可承受的功率高达数百至数千瓦，可用于吸收瞬间的干扰脉冲。